游经碧,1982年2月出生于湖北。中国科学院半导体研究所研究员。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系；2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位；2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作；2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。 游经碧长期从事有机及有机/无机杂化半导体光电器件研究工作，取得了一系列创新性研究成果：提出稳定反型有机叠层电池结构，研制出转换效率为10.6%有机叠层电池，作为世界纪录被美国可再生能源国家实验室(NREL)发表的BestResearchCellEfficiencies收录；提出有机盐钝化钙钛矿表面缺陷的方法，先后研制出转换效率为23.3%，23.7%钙钛矿太阳能电池，连续两次作为世界纪录被NREL发表的BestResearchCellEfficiencies收录；提出解决钙钛矿电池广泛存在的电滞问题的界面调控方法，为准确评估钙钛矿电池效率提供基础；研制出光照稳定的全无机钙钛矿电池；研制出当时发光效率最高的钙钛矿发光二极管。近年来，发表学术论文79篇，通讯/第一作者Nature系列研究论文10篇，其中1篇引用超过2000次，全部论文总共被SCI引用16000余次。
